Samsung Electronics, unul dintre liderii mondiali in dezvoltarea de noi tehnologii, a anuntat inceputul productiei in masa a primelor memorii de stocare (Embedded Universal Flash Storage, eUFS) de 512GB, capacitate care va fi dedicata urmatoarei generatii de dispozitive mobile.

Utilizand cele mai recente tehnologii, precum chip-urile formate dintr-un set de opt straturi a cate 64GB, fiecare de tip V-BAND. Samsung reuseste sa dubleze densitatea generatiei anterioare de chip-uri de memorie, care aveau doar 48GB pe un strat, ajungand acum la un total de 256GB.

Aceasta noua generatie de memorii de stocare a ajuns in testele celor de la Samsung la o viteza de citire de 860MB/s, respectiv de scriere, de pana la  255MB/s. Acestia precizeaza ca transferul unui videoclip de o capacitate de 5GB se va face in aproximativ sase secunde pe un SSD (Solid State Drive), aceasta viteza fiind de opt ori mai mare decat a cardurilor microSD clasice.

In ceea ce priveste spatiul de ocupare a acestor chip-uri de generatie noua, ramane la aceleasi dimensiuni mici de pana acum, o energie electrica consumata scazuta si chiar similara cu vechiul model.

Smartphone-urile cu capacitate de 256GB sunt inca destul de rare pe piata, ceea ce inseamna ca cel mai probabil va trece ceva timp pana vom vedea terminale cu capacitate de 512GB. Totusi, tehnologia este disponibila, ceea ce este destul de promitator.

Comentează prin Facebook

Comentează prin Facebook