Samsung Electronics a anuntat ca va face disponibil un cip de memorie integrata de tip Universal Flash Storage (UFS) 2.0 pentru telefoanele de top. Noul cip va avea performante cu adevarat remarcabile, depasind pe cele ale unui SSD S-ATA din PC.

Noua memorie UFS de la Samsung este facuta pentru a satisface nevoile tot mai mari de viteza si capacitate din lumea mobila, atingand viteze aproape de doua ori mai mari decat un SSD pentru PC. Aceasta performanta a fost atinsa folosind cea mai recenta tehnologie de fabricatie V-NAND a companiei impreuna cu un controler de inalta viteza special conceput pentru acest cip.

Concret, pentru citirea datelor secventiale, memoria de 256GB UFS ajunge la o viteza de 850MB/s , iar la scriere poate atinge 260MB/s,  viteza  de trei ori mai mare decat maximum de viteza obtinuta de la memoriile externe din prezent. Cu asemenea viteze va fi posibila utilizarea citirii unui film UHD 4K simultan cu download de fisiere si indexare de imagini.

Memoria de 256GB permite stocarea a 47 de filme FullHD si transferul unui film de aproximativ 5GB in 12 secunde prin interfata USB 3.0.

Dimensiunile noului cip de momorie sunt extrem de compacte, fiind chiar mai mici decat cele ale unui card extern microSD. Ca rezultat, producatorii de telefoane pot incorpora mai eficient noua tehnologie in dispozitive.

Samsung Galaxy Note 6 care probabil va fi lansat in toamna acestui an, va fi cel mai bun candidat pentru folosirea in premiera a cip-ului acesta ultraperformant de 256GB.

Sursa: Samsung

Comentează prin Facebook

Comentează prin Facebook